Dioda tunelowa
Z Wikipedii
Dioda tunelowa, rzadziej dioda Esakiego - dioda półprzewodnikowa, która dla pewnego zakresu napięć polaryzujących charakteryzuje się ujemną rezystancją dynamiczną.
Taką charakterystykę uzyskuje się w złączach silnie domieszkowanych, bowiem jest w nich możliwe przejście tunelowe nośników z pasma walencyjnego do pasma przewodzenia zarówno z obszaru półprzewodnika typu p+ do n+, jak i z obszaru n+ do p+, także przy polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia (porównaj ze zjawiskiem Zenera). Czas tunelowego przejścia nośników jest rzędu 10-13 s, dlatego diody tego typu wykorzystuje się do wytwarzania, wzmacniania i detekcji słabych drgań wysokich częstości (rzędu kilkuset gigaherców), w układach impulsowych (np. cyfrowych) oraz jako elementy aktywne generatorów.
Diody tunelowe wykonywane są z krzemu, arsenku galu, antymonku galu, oraz obecnie już niezbyt często z germanu. Istotne parametry:
- punkt szczytu, określony przez napięcie UP i natężenie prądu IP;
- punkt doliny, określony przez napięcie UV i natężenie prądu IV;
- rezystancja dynamiczna dla opadającej części charakterystyki.
Dla diod krzemowych
a dla diod wykonanych z arsenku galu
Typowe natężenie prądu IP jest rzędu kilku, kilkunastu miliamperów.
Ważnym parametrem jest iloraz IP / IV - im jest on większy, tym lepiej. Ponadto, ze względu na przeznaczenie tych elementów do pracy z bardzo dużymi częstotliwościami istotne stają się: pojemność złącza p-n, indukcyjność pasożytnicza oraz pojemność obudowy, ponieważ wpływają na szybkość działania diody.
Zobacz też:
